InGaAs APD မော်ဂျူးများ

မော်ဒယ်- GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

၎င်းသည် photon-photoelectric-signal amplification ၏ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအောင်မြင်ရန်အားနည်းသောလက်ရှိအချက်ပြမှုကိုချဲ့ထွင်ရန်နှင့်ဗို့အားအချက်ပြမှုအဖြစ်သို့ပြောင်းလဲပေးသည့်အကြိုချဲ့စက်ပတ်လမ်းပါရှိသော indium gallium arsenide avalanche photodiode module ဖြစ်သည်။

ကိုးကားရယူပါ။ ဒေါင်းလုဒ်လုပ်ပါ။

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

အင်္ဂါရပ်များ

ရှေ့ဘက်တွင် တောက်ပနေသော ချစ်ပ်ပြား
မြန်နှုန်းမြင့်တုံ့ပြန်မှု
detector ၏ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်း

လျှောက်လွှာများ

လေဆာ ပါဝင်ပါတယ်။
လေဆာဆက်သွယ်ရေး
လေဆာသတိပေးချက်

Photoelectric ကန့်သတ်ချက်(@Ta=22±3℃)

ပစ္စည်း #	Package အမျိုးအစား	photosensitive မျက်နှာပြင်အချင်း(mm)	Spectral တုံ့ပြန်မှုအပိုင်း (nm)	ပြိုကွဲဗို့အား (v)	တုံ့ပြန်မှု M=10 λ=1550nm (kV/W)	တက်လာချိန် (ns)	Bandwidth (MHz)	Temperature Coefficient T_a=-40℃～85℃ (V/℃)	ဆူညံသံနှင့်ညီမျှသော ပါဝါ(pW/√Hz)	Concentricity (μm)	အခြားနိုင်ငံများတွင် အမျိုးအစားကို အစားထိုးထားသည်။
GD6510Y	TO-8	၀.၂	၁၀၀၀ မှ ၁၇၀၀	၃၀ မှ ၇၀	၃၄၀	5	70	၀.၁၂	၀.၁၅	≤50	C3059-1550-R2A
GD6511Y		၀.၅				10	35		၀.၂၁		−
GD6512Y		၀.၀၈				၂.၃	၁၅၀		၀.၁၁		C3059-1550-R08B