DETECTOR စက်ရုံ၊ ပေးသွင်းသူများ - China DETECTOR ထုတ်လုပ်သူများ

355nm APD

၎င်းသည် ကြီးမားသော ဓါတ်ပုံများ အာရုံခံနိုင်သော မျက်နှာပြင်နှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော UV ပါရှိသော Si avalanche photodiode ဖြစ်သည်။UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
800nm APD

၎င်းသည် UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပံ့ပိုးပေးသော Si avalanche photodiode ဖြစ်သည်။အမြင့်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုလှိုင်းအလျားမှာ 800nm ဖြစ်သည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
905nm APD

၎င်းသည် UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပံ့ပိုးပေးသော Si avalanche photodiode ဖြစ်သည်။အမြင့်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုလှိုင်းအလျားမှာ 905nm ဖြစ်သည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
1064nm APD

၎င်းသည် UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပံ့ပိုးပေးသော Si avalanche photodiode ဖြစ်သည်။အမြင့်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုလှိုင်းအလျားမှာ 1064nm ဖြစ်သည်။တုံ့ပြန်မှု- 1064 nm တွင် 36 A/W ။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
1064nm APD မော်ဂျူးများ

၎င်းကို ဖိုတွန်-ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်-အချက်ပြ ချဲ့ထွင်မှု လုပ်ငန်းစဉ်ကို အောင်မြင်ရန် အားနည်းသော လက်ရှိအချက်ပြမှုကို ချဲ့ထွင်ရန်နှင့် ဖိုတွန်-ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်-အချက်ပြမှု ချဲ့ထွင်မှု လုပ်ငန်းစဉ်ကို အောင်မြင်ရန်အတွက် အားနည်းသော လက်ရှိအချက်ပြမှုကို ချဲ့ထွင်နိုင်စေရန်နှင့် ဗို့အားအချက်ပြမှုအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲနိုင်စေသည့် အကြိုချဲ့စက်ဖြင့် Si avalanche photodiode မော်ဂျူးကို တိုးမြှင့်ထားသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
InGaAs APD မော်ဂျူးများ

၎င်းသည် photon-photoelectric-signal amplification ၏ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအောင်မြင်ရန်အားနည်းသောလက်ရှိအချက်ပြမှုကိုချဲ့ထွင်ရန်နှင့်ဗို့အားအချက်ပြမှုအဖြစ်သို့ပြောင်းလဲပေးသည့်အကြိုချဲ့စက်ပတ်လမ်းပါရှိသော indium gallium arsenide avalanche photodiode module ဖြစ်သည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
လေးထောင့် APD

၎င်းတွင် UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပံ့ပိုးပေးသည့် Si avalanche photodiode ၏တူညီသောယူနစ် လေးခုပါရှိသည်။အမြင့်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုလှိုင်းအလျားမှာ 980nm ဖြစ်သည်။တုံ့ပြန်မှု- 1064 nm တွင် 40 A/W ။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
လေးထောင့်ပုံ APD မော်ဂျူးများ

၎င်းတွင် အားနည်းသော လက်ရှိအချက်ပြမှုကို ချဲ့ထွင်ရန်နှင့် ဖိုတွန်-ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်-အချက်ပြမှု ချဲ့ထွင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို အောင်မြင်ရန် ဗို့အားအချက်ပြမှုအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးသည့် အကြိုချဲ့စက်ဖြင့် Si avalanche photodiode ၏တူညီသောယူနစ် လေးခုပါရှိသည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
850nm Si PIN မော်ဂျူးများ

၎င်းသည် 850nm Si PIN photodiode module သည် ဖိုတွန်-photoelectric-signal ချဲ့ထွင်မှုဖြစ်စဉ်ကိုအောင်မြင်ရန် အားနည်းသောလက်ရှိအချက်ပြမှုကို ချဲ့ထွင်ရန်နှင့် ဖိုတွန်-ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်-အချက်ပြမှုချဲ့ထွင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအောင်မြင်ရန် အားနည်းသောလက်ရှိအချက်ပြမှုကို ချဲ့ထွင်နိုင်စေရန် လုပ်ဆောင်ပေးသည့် 850nm Si PIN photodiode module ဖြစ်သည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
900nm Si PIN photodiode

၎င်းသည် ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်မှုအောက်တွင် လုပ်ဆောင်ပြီး UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပေးဆောင်သည့် Si PIN photodiode ဖြစ်သည်။အမြင့်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုလှိုင်းအလျားမှာ 930nm ဖြစ်သည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
1064nm Si PIN photodiode

၎င်းသည် ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်မှုအောက်တွင် လုပ်ဆောင်ပြီး UV မှ NIR အထိ မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်းကို ပေးဆောင်သည့် Si PIN photodiode ဖြစ်သည်။အမြင့်ဆုံးတုံ့ပြန်မှုလှိုင်းအလျားမှာ 980nm ဖြစ်သည်။တုံ့ပြန်မှု- 1064 nm တွင် 0.3A/W

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်
Fiber Si PIN မော်ဂျူးများ

Optical signal ကို optical fiber ထည့်သွင်းခြင်းဖြင့် လက်ရှိ signal အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပါသည်။Si PIN module သည် photon-photoelectric-signal amplification ၏ပြောင်းလဲခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကိုအောင်မြင်ရန်အတွက်အားနည်းသောလက်ရှိအချက်ပြမှုကိုချဲ့ထွင်ရန်နှင့်ဗို့အားအချက်ပြမှုအဖြစ်ပြောင်းလဲနိုင်စေသောအကြိုချဲ့စက်ပတ်လမ်းဖြင့်ဖြစ်သည်။

စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။ အသေးစိတ်